磁阻式随机存储器(MRAM)重离子单粒子效应试验研究

摘要：

磁阻式随机存储器(MRAM)作为非电荷存储的非易失存储器在抗辐射性能上有一定的优势,在空间有较好的应用前景.文章分析了MRAM的工作原理,选取典型的MR0A08BCYS35型MRAM存储器为研究对象,进行了重离子单粒子效应敏感性试验研究,在此基础上,利用专用软件Fore CAST计算预估了该种器件空间应用条件下的单粒子在轨翻转率,给出了在轨应用的具体建议.

关键词：MRAM、单粒子效应、单粒子翻转、单粒子锁定、翻转率

所属期刊栏目：35

分类号：TN432;V416.5(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金面上项目"化合物器件不同能量质子位移损伤因子与非电离能损相关研究"11475256;国家自然科学基金重点项目"先进非易失存储器辐照效应与加固技术基础研究"61634008

在线出版日期：2019-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：561-567