10.3969/j.issn.1673-1379.2017.03.006
电阻接地状态下星用电路板深层充电仿真方法
文章基于Monte Carlo方法和有限元方法,对双层和4层电路板覆铜层通过电阻接地时的深层充电进行仿真分析,详细讨论了空间各向同性电子通量模型、电路板背面和中间覆铜层分别通过电阻接地时的计算方法和边界条件,以及不同接地条件下有限元矩阵方程的建立;最终定量计算了电阻阻值对电路板充电结果的影响.仿真结果表明,较之完全接地情况,通过电阻接地会增加充电电场和电势,最大电势深度也相应变化;电阻接地层电势和阻值呈线性关系;当接地电阻为109?量级及以下时,其对深层充电的影响可以忽略,验证了NASA-HDBK-4002A手册中设计指南的正确性.
深层充电、接地电阻、MonteCarlo方法、有限元方法、Geant4
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V542
北京空间飞行器总体设计部自主研发基金
2017-07-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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258-264