10.3969/j.issn.1673-1379.2010.05.008
SRAM单粒子效应检测方法研究
采用中国科学院近代物理研究所的回旋加速器HIRFL产生不同LET值的重离子,以模拟空间辐射环境,检测了两种国产SRAM器件抗单粒子翻转、和单粒子锁定的能力.试验中采用了两套单粒子效应检测系统,结合试验检测过程和最终结果,讨论了两套检测系统各自的优缺点,总结了试验中需要注意的其他问题.本研究为今后构建其他器件的单粒子效应检测系统提供了参考.
静态随机存储器、检测系统、辐射效应、单粒子效应、虚拟仪器
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V416.8;TN406(基础理论及试验)
2013-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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