用10 MeV质子和钴60 γ射线进行CCD空间辐射效应评估

摘要：

文章用10Mev质子和钴60γ射线对CCD(Charge Coupled Device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量.通过分析比较得出:在空间环境中,相对于电离总剂量效应而言,位移效应对CCD的损伤更为严重.因此,进行CCD辐射效应评估时,不仅要考虑电离总剂量效应,还要考虑位移效应.文章还探讨了评估CCD抗位移损伤能力的方法.

关键词：CCD、辐射效应、电离总剂量效应、位移效应

所属期刊栏目：25

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2008-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：391-394