SRAM型FPGA的单粒子效应及TMR设计加固

摘要：

宇宙空间中存在多种高能粒子,其辐射效应会严重威胁航天器中现场可编程门阵列（FieldProgrammable Gate Array,FPGA）器件工作的可靠性。文章研究了静态随机存储器型（Static Random AccessMemory,SRAM）FPGA中的单粒子翻转效应。理论计算表明,采用三模冗余（Triple Module Redundancy,TMR）设计方法可以有效缓解FPGA中的单粒子翻转问题。针对传统TMR设计方法的不足,提出了一种改进的TMR设计架构,并将该架构应用于某星载关键控制电路的设计中。文中的研究成果对SRAM型FPGA的空间应用有一定参考作用。

关键词：现场可编程门阵列、航天器件可靠性、单粒子效应、三模冗余

所属期刊栏目：33

分类号：V423.4(火箭、航天器构造（总体）)

在线出版日期：2012-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：49-53