10.3969/j.issn.2095-4565.2020.04.002
一种新的有源忆阻器在耦合FHN神经 网络中的应用
设计了一个新的阈值双稳态局部有源忆阻器,通过理论分析和数值验证研究了其忆阻和局部有源特性.在该忆阻器数学模型的基础上,提出了一种忆阻突触耦合FHN神经网络.利用分岔图、Lyapunov指数、相位图和时序图研究了网络参数以及初始状态对其动力学行为的影响.研究发现,随着参数和初始状态变化,忆阻突触耦合FHN神经网络能够产生混沌行为,并在特定条件下出现复杂的共存吸引子,具有丰富的动力学特性.
忆阻器、局部有源、FHN神经元、混沌、模拟电路
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TN4(微电子学、集成电路(IC))
安徽省高校自然科研重点项目;安徽省质量工程教学一般项目
2020-08-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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