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10.3969/j.issn.1008-8245.2006.04.007

化学腐蚀对硅片力学性能的影响

引用
分析了电子工业对半导体硅材料的新要求.通过对不同表面状态的硅片力学性能的测试,得出化学腐蚀在改善硅片力学性能方面具有重要作用,适当的化学腐蚀工艺可以大幅减少硅片制备过程中的不良率.

硅片、力学性能、化学腐蚀

22

TB304(工程材料学)

2006-10-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

21-23

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黄石理工学院学报

1008-8245

42-1753/Z

22

2006,22(4)

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