半导体辐射源综述
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10.3969/j.issn.2095-2457.2023.14.010

半导体辐射源综述

引用
半导体辐射源在医学成像、放射治疗、安全扫描和材料表征等领域广泛应用,具有紧凑、低成本和易于使用等优点,其制造材料可根据所需的辐射能量、效率和其他参数进行选择.例如硅常用于低能X射线,而化合物半导体适合于高能伽马射线.最常见的辐射检测机制是光电效应,即入射光子被半导体材料吸收并产生电子空穴对,然后被偏压收集,并产生可以被处理和分析的电信号.半导体辐射源可使用二极管、探测器和闪烁体等器件结构制造,其中二极管用于低能X射线,探测器用于更高能量的伽马射线,闪烁体则可与半导体探测器耦合以提高灵敏度.

半导体、辐射源、集成度、稳定性

TN304.2;TL814;TN111

2023-11-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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2095-2457

31-2065/N

2023,(14)

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