静态存储器用非晶硅薄膜晶体管输出特性研究

摘要：

利用TCAD半导体器件仿真软件,对影响非晶硅薄膜晶体管输出特性的缺陷态参数及温度进行了分析和讨论.仿真结果表明:漏电流随着掺杂浓度的增大而增大,减小而减小;漏电流随着类施主态和类受主态高斯分布的增大而减小,减小而增大;漏电流随着定义模型的温度升高而增大,温度降低而减小.

关键词：非晶硅薄膜晶体管、漏电流、掺杂浓度、高斯分布、态密度、能带密度

分类号：TP333(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2018-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：225-226