纳米压印光刻工艺浅谈及其专利分析

摘要：

光刻技术是半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一,传统光刻技术有着各自的缺点,结构复杂,分辨率受限于衍射极限.随着在应用中技术问题的增多,寻找解决技术障碍的新方案、找到下一代可行的技术路径,备受人们的关注.在这场技术竞赛中,纳米压印工艺得到人们的普遍关注,它的分辨率不受限于衍射极限,图形的均一性符合大生产的要求,使得人们看到找到纳米技术的突破口的可能.本文统计、分析了全球纳米压印工艺的专利申请文件,并通过相关重点专利对纳米压印工艺进行了分析介绍,继而针对纳米压印工艺的发展所遇到的关键技术挑战进行了归纳.

关键词：纳米压印、光刻、专利、发展前景、技术挑战

分类号：TN4;TN3

在线出版日期：2015-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：14-15