阻变存储器电学特性的研究

摘要：

本文以Cu/HfOX/Pt作为RRAM的材料结构，以1T1R为基本操作单元，针对阻变存储器的电学特性展开研究，主要包括典型的I-V特性、均一性、疲劳特性以及保持特性的分析等。

关键词：RRAM、阻变存储器、电学特性

分类号：TP2;U46

在线出版日期：2014-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：7-8