纳米二氧化硅表面改性条件优化
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

纳米二氧化硅表面改性条件优化

引用
引入微波有机合成技术对纳米SiO2进行表面改性,考察了偶联剂、微波功率和辐照时间、浓硫酸用量等对纳米SiO2表面处理的影响,并通过红外光谱和热失重测试考察了粉体表面化学结构及改性情况.实验得出的纳米SiO2表面处理的最佳工艺条件为:偶联剂的用量为6%(质量百分含量),微波功率为320W,硫酸用量为1.25%(质量百分含量),微波辐射反应时间为15min.

纳米二氧化硅、表面处理、微波

TQ4;TB9

2013-05-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

149-150,156

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

科技视界

2095-2457

31-2065/N

2013,(2)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn