硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的 制备及光学特性

摘要：

采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9 nm增加到5.3 nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60 eV左右.研究发现:位于1.48 eV处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60 eV处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心.

关键词：纳米晶、Ge/ZnO多层薄膜、硅衬底、光致发光、射频磁控溅射、快速热退火

所属期刊栏目：39

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：福建省自然科学基金面上资助项目2015J01655;福建省教育厅科研基金A类资助项目JA14025,JA13429;福建省泉州市科技计划资助项目2016G051;华侨大学科研基金资助项目12BS226

在线出版日期：2018-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：696-700