利用SiCl4/Ar/H2气体ICP干法刻蚀GaAs材料

摘要：

利用SiCl4/Ar/H2气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀GaAs材料,研究反应气体流量、样品室压力、源功率RF1和RF2等参数对刻蚀速率的影响.结果表明:在反应气体SiCl4,Ar和H2的流量分别为2,4,1 mL· min-1,样品室压力为0.400 Pa,RF1和RF2的功率分别为120,500 W的最佳优化参数下,得到的刻蚀速率为486 nm·min-1,且同时满足垂直而光滑的台面.利用该优化后的配方刻蚀GaAs衬底10 min后,得到大面积的光滑表面,其粗糙度为0.20 nm.

关键词：GaAs、干法刻蚀、电感耦合等离子体、SiCl4、光滑表面

所属期刊栏目：34

分类号：TN405.98(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：福建省自然科学基金资助项目2012J1277;华侨大学高层次人才启动基金资助项目07170406

在线出版日期：2013-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：139-142