石墨烯/壳聚糖修饰玻碳电极 测定水样中痕量铜离子

摘要：

采用控制电位电解法,在玻碳电极((GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚糖(CS)修饰膜的电沉积,将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE在0.1 mol·L-1的HAc-NaAc电解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强于裸GCE及CS/GCE.在优化实验条件下,Cu2+的浓度在1.0～80.0μmol·L-1范围内与阳极溶出峰电流呈线性关系,相关系数为0.999 6,检出限为12.66 nmol·L-1,所制得的修饰电极具有较高的灵敏度和选择性.

关键词：石墨烯、壳聚糖、阳极溶出伏安法、Cu2+

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分类号：O657.1(分析化学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目20574025;福建省自然科学基金重点项目E0820001

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：529-531