纳米Ge-SiO2薄膜对1342nm激光的被动调Q

摘要：

采用射频磁控溅射技术和热退火处理方法制备纳米锗镶嵌二氧化硅( Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收谱和X射线衍射谱对薄膜材料进行表征,得到薄膜的光学带隙为1.12 eV,纳米Ge晶粒的平均尺寸约为16.4 nm.将纳米Ge-SiO2薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约为40 ns,重复频率为33.3 kHz的调Q脉冲序列输出.根据实验现象并结合薄膜结构,认为纳米Ge-SiO2薄膜的界面态和缺陷态是产生调Q的主要原因.

关键词：激光技术、Nd∶ YVO4激光器、纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜、被动调Q、可饱和吸收体

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分类号：O436(光学)

资助基金：国家自然科学重点基金资助项目60838003;福建省自然科学基金资助项目2009J01291

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：385-388