电流镜型二次曲率补偿的带隙基准源设计
为提高基准源的温度系数、电压调整率和电源抑制比,采用0.6 μm标准CMOS工艺,设计一种采用电流镜复制技术的带隙基准源.仿真结果表明,电路具有结构简单、启动性能好、电压输出灵活稳定、温度范围宽等特点,能够满足模拟集成电路的要求在3种工艺角模型,-50~+195 ℃温度变化范围内,其温度系数约为1.632×10-5 ℃-1,电源抑制比为-70 dB; 而在4.5~6.5 V的电源范围内,其电压调整率为4.0×10-4.
带隙基准、曲率补偿、平均温度系数、电源抑制比
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TN431.1(微电子学、集成电路(IC))
福建省自然科学基金资助项目T0850005;厦门市科技计划项目3502Z20080010
2010-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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