nc-Si/SiO2球形量子点的三阶极化率

摘要：

在有效质量近似下,采用无限深势阱,理论计算nc-Si/SiO2球形量子点导带中的电子束缚态,并利用紧束缚密度矩阵理论,推导出共振三阶极化率的表达式.通过数值模拟,分析讨论nc-Si/SiO2球形量子点的三阶极化率与量子点半径、入射光子的能量和弛豫相的关系.结果表明,在强受限中,三阶极化率与量子点半径、入射光子能量和弛豫相有着显著的关系.随着量子点半径的增大、入射光子能量的增大和弛豫相的减小,三阶极化率都有不同程度的增强.

关键词：量子点、无限深势阱、三阶极化率、nc-Si/SiO2

所属期刊栏目：30

分类号：O472+.3(半导体物理学)

资助基金：福建省自然科学基金资助项目E0410018;国务院侨办科研基金资助项目06QZR02;泉州市科技计划重点项目2008G7

在线出版日期：2009-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：143-146