铅酸蓄电池充电与保护集成电路的设计

摘要：

针对蓄电池充电和保护电路的分离及占用较大的面积等问题,采用CSMC公司0.6 μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计集蓄电池充电和保护功能于一身的集成电路.它既可以实现对免维护铅酸蓄电池的浮充充电及过充、过放、过流保护,也可以解决分立元件构成的电路占用面积大的问题.采用Cadence中的Spectre对电路进行模拟仿真,结果表明,当温度在-10～90 ℃范围内,基准电压随温度的变化呈抛物线的形状,电路的温度得到很好的补偿.

关键词：互补金属氧化物半导体、浮充充电、过充、过放、过流、铅酸蓄电池

所属期刊栏目：29

分类号：TN432.02;TM912.1(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：福建省自然科学基金资助项目A0640005;厦门市科技计划项目3502Z20073037

在线出版日期：2008-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：338-341