脑电信号提取专用电极芯片的设计

摘要：

根据脑电信号的特性,提出一种适用于检测脑电信号的电极芯片的系统设计方案,分析系统所涉及的主要模块的实现技术. 系统采用双铝双多晶(DPDM)标准的0.6 μm 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺完成系统信号处理电路的设计,同时采用单片集成微机电系统(MEMS)的工艺技术完成检测电极的制造,检测电极为4 mm×4 mm,电极针头长度为30～50 μm,针头间距为100～210 μm. 系统的滤波模块主要是带通滤波电路,通带范围为0.5～50 Hz,低噪声放大电路和可调增益放大器采用基于斩波的差分差值放大器(CHSDDA)技术,而连续时间滤波器则采用转导-电容(Gm-C)技术.

关键词：脑电信号、电极芯片、检测、差分差值放大器、Gm-C技术

所属期刊栏目：28

分类号：TN43;R741.044(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：福建省自然科学基金Z0516008;A0640005

在线出版日期：2007-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：260-263