10.3969/j.issn.1000-5013.2007.03.006
nc-Si/SiO2复合膜的非线性光学性质
采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,制备a-SiOx:H (0<x<2) 薄膜,经高温退火形成纳米硅晶粒(nc-Si)埋入SiO2基质的复合膜nc-Si/SiO2.采用简并四波混频技术(DFWM),研究nc-Si/SiO2复合膜的非线性光学性质,观察到这种纳米薄膜材料的位相共轭信号,测得样品在光波波长在589 nm处的三阶非线性极化率为X(3)=5.6×10-6 esu,并分析其光学非线性增强机理.
nc-Si/SiO2复合膜、简并四波混频、光学非线性、三阶极化率
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O484.4+1(固体物理学)
福建省自然科学基金E0410018;国务院侨务办公室科研项目06QZR02
2007-09-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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