含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性

摘要：

利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800 ℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.

关键词：磁控溅射、纳米硅、光致发光、氧化硅薄膜

所属期刊栏目：27

分类号：O484.4+1;TB383(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划60336010

在线出版日期：2006-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：256-258