含纳米硅粒SiO2薄膜的光致发光

摘要：

采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论.

关键词：磁控溅射、纳米硅、光致发光、量子限制效应

所属期刊栏目：27

分类号：O484.4+1(固体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目60336010

在线出版日期：2006-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38