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10.3969/j.issn.1000-5013.2006.01.009

含纳米硅粒SiO2薄膜的光致发光

引用
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论.

磁控溅射、纳米硅、光致发光、量子限制效应

27

O484.4+1(固体物理学)

中国科学院资助项目60336010

2006-03-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

35-38

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华侨大学学报(自然科学版)

1000-5013

35-1079/N

27

2006,27(1)

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