7.5μm像元间距红外探测器三维电极的制备与应用

摘要：

采用现有读出电路电极生长设备和直写式光刻设备开发了三维电极的制备工艺.在制备过程中,首先在读出电路表面制备三维电极,在碲镉汞芯片端生长铟饼,然后通过倒装互连工艺可以实现7.5μm像元间距的1k×1k碲镉汞芯片与读出电路的互连.可变参数包括金属生长角度、生长速率、生长厚度以及金属种类等.经研究发现,通过该工艺制备的7.5μm像元间距的三维电极高度可达到3.8μm,高度非均匀性小于3％,可以经受7.6×10-5 N的压力.三维电极的应用,降低了倒装互连工艺对HgCdTe芯片平坦度和互连设备精度的要求,大幅提高了 7.5μm像元间距红外探测器的互连成品率.

关键词：碲镉汞、7.5μm像元间距、三维电极

所属期刊栏目：45

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2024-02-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：12-19