InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器背减薄技术研究

摘要：

针对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器开发高质量背减薄工艺,获得了高质量衬底表面,改善了超晶格红外探测器组件的成像品质.采用机械抛光和机械化学抛光相结合的工艺减薄衬底,其中机械抛光削减衬底大部分厚度,然后通过机械化学抛光去除机械损伤.机械化学抛光过程中,在压力、转速等不变的情况下,主要研究机械化学抛光液的pH值对衬底表面质量的影响.实验结果表明,当机械化学抛光液的pH值为9.4时,获得了高质量、低损伤的芯片衬底表面,并实现了最佳的探测器组件成像效果.

关键词：InAs/GaSb Ⅱ类超晶格、红外探测器、背减薄、pH值

所属期刊栏目：44

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：15-20