高质量5 in InSb单晶生长

摘要：

锑化铟(InSb)焦平面探测器是中波红外探测领域应用广泛的一种探测器.作为制备探测器的基础,InSb晶体材料的质量和性能显得尤为重要.近年来InSb晶体材料在向高质量大尺寸方向发展.通过多举措坩埚设计和温场条件设计,采用直拉法生长了直径大于135 mm的InSb单晶.测试结果表明,5 in晶片的位错腐蚀坑密度小于50 cm-2,双晶衍射峰的半峰宽为8.32 arcsec,晶体具有相当好的完整性.通过优化生长工艺参数,晶体生长过程中具有较为平坦的固液界面,表现出良好的径向电学均匀性.这为制备低成本和超大规模InSb红外探测器阵列奠定了基础.

关键词：锑化铟、单晶、位错密度、电学均匀性

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2023-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：10-14