InSb焦平面芯片的响应率提升研究

摘要：

InSb光伏探测器的响应率是评价探测器性能的重要指标之一.探测器的电压信号与响应率成正比.从光敏芯片的角度提出了增大InSb红外探测器信号的方法.通过实验设计,优化了台面湿法刻蚀的方法,减小了芯片p型层的厚度.优化台面刻蚀方法使台面面积增加,InSb芯片的Ⅰ-Ⅴ电流增大了 40％,组件的电压信号值提升了 16％.进一步将InSb芯片的p型层厚度减小至0.8～1.2 μm后,InSb芯片的Ⅰ-Ⅴ电流增大了 67.3％,单元组件的电压信号值提升了40.2％.基于InSb光敏芯片光生载流子的产生到光电流的转换过程,分析了台面湿法刻蚀以及p型层的厚度对信号的影响机理.该研究对于提升InSb探测器信号和优化探测器性能具有重要的指导意义.

关键词：InSb红外探测器、信号、Ⅰ-Ⅴ性能、湿法刻蚀、p-n结

所属期刊栏目：44

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：21-25