10.3969/j.issn.1672-8785.2023.07.001
不同像元间距红外探测器的铟柱生长研究
分析了红外探测器铟柱生长工艺中不同像元间距情况下铟柱光刻孔内部的铟沉积情况和微观结构.解释了10μm小像元间距条件下铟柱高度较矮的原因,并给出了像元间距大小与剥离后铟柱高度之间的关系.针对10μm及以下像元间距红外探测器的铟柱生长,给出了解决铟柱高度问题的办法.使用新方法后,铟柱的高度可达到5μm以上.
红外探测器、铟柱、像元间距
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TN215(光电子技术、激光技术)
2023-08-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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