锑化铟红外探测器的三维电极成型技术

摘要：

锑化铟的电极因三维特性易产生侧壁断裂问题,互联的铟柱会侵入电极内部,影响锑化铟芯片的可靠性.使用离子束溅射沉积、热蒸发、磁控溅射等方法制备三维电极体系,并通过聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)方法以及扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)对其进行表征.结果表明,通过热蒸发、磁控溅射制备的电极三维覆盖情况较好,但存在电极脱落和剥离困难的问题;离子束溅射沉积方法可通过改变沉积角度、移除修正挡板来实现锑化铟三维电极的高质量制备.

关键词：锑化铟、三维电极体系、热蒸发、磁控溅射、离子束溅射沉积

所属期刊栏目：44

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：7-11