InAs/GaSb Ⅱ类超晶格双色红外焦平面器件的干法刻蚀与湿法腐蚀制备对比研究

摘要：

分别采用干法刻蚀工艺路线和湿法腐蚀工艺路线制备了面阵规模为320×256、像元中心距为30μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长/长波双色红外焦平面器件,并对其台面形貌、接触孔形貌、伏安特性以及互连读出电路并封入杜瓦后的中测性能进行了对比研究.总结了采用干法工艺和湿法工艺制备双色InAs/GaSb Ⅱ类超晶格焦平面器件的特点.该研究对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格焦平面器件的研制具有参考意义.

关键词：InAs/GaSb、Ⅱ类超晶格、焦平面、双色

所属期刊栏目：44

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

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