分子束外延In掺杂硅基碲镉汞研究

摘要：

利用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)系统生长了 In掺杂硅基碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)材料.通过控制In源温度获得了不同掺杂水平的高质量MCT外延片.二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spec-trometer,SIMS)测试结果表明,In掺杂浓度在1×1015～2×1016 cm-3之间.表征了不同In掺杂浓度对MCT外延层位错的影响.发现位错腐蚀坑形态以三角形为主(沿<(1)11>方向排列),且位错密度与未掺杂样品基本相当.对不同In掺杂浓度的材料进行汞饱和低温处理后,样品的电学性能均有所改善.结果表明,In掺杂能够提高材料的均匀性,从而获得较高的电子迁移率.

关键词：分子束外延、碲镉汞、In掺杂

所属期刊栏目：44

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：14-19