CdSeTe分子束外延技术研究

摘要：

对HgCdTe红外探测器CdSexTe1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍.生长条件包括生长结构(主要有CdSexTe1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSexTe1-x/ZnTe/GaAs 等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等.组分调整包括分析Se组分随(JSe+JTe)/JCd和JSe/(JSe+JTe)的变化.JSe/(JSe+JTe)值较小时,Se组分较难融入外延层;JSe/(JSe+JTe)值较大时,Se组分增长较迅速.同时,若JSe/(JSe+JTe)值较小,则Se组分增长趋势相对较易控制.当JSe/(JSe+JTe)值一定时,Se组分随着(JSe+JTe)/JCd的减小而增大.Se组分变化的突增点随(JSe+JTe)/JCd值的减小而增大.本文可为高性能HgCdTe红外探测器的制备提供一定的参考.

关键词：CdSexTe1-x、分子束外延、组分调整

所属期刊栏目：44

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：8-13