InSb晶片的显微拉曼研究

摘要：

对热处理前后的InSb晶片进行了显微拉曼面扫描测试,开发了一种新的InSb晶片应力面分布表征方式.热处理前后InSb晶片的横向光学(Transverse Optical,TO)声子散射峰分别位于179.3 cm-1和178.5 cm-1;纵向光学(Longitu-dinal Optical,LO)声子散射峰分别位于188.8 cm-1和188.7 cm-1;特征峰的半峰宽分别为5.8 cm-1和5.0 cm-1.X射线双晶衍射曲线半峰宽值分别为12.10～20.04 arcsec和7.61～7.74 arcsec.用经热处理后的晶片制得的器件在80℃烘烤20天后,盲元增加量较小,整体数量较少.这表明热处理释放了晶片的残余应力,对后期抑制器件新增盲元存在有利影响,为新一代超高性能、超大面阵红外探测器的制备奠定了材料基础.

关键词：锑化铟、显微拉曼、热处理、应力、晶体质量

所属期刊栏目：44

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-02-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：11-16