钝化膜应力对锑化铟器件性能的影响

摘要：

随着InSb红外探测器关键尺寸的不断缩小,钝化膜应力的大小对器件I-V性能的影响越发明显.为了降低探测器芯片的应力,研究了 一种由SiO2和SiON组成的复合钝化膜体系.通过改变气体的射频时间,在InSb晶片上淀积厚度分别为300 nm、500 nm、700nm和900nm的钝化膜,测量并计算了不同厚度钝化膜的应力.当厚度为700 nm时,钝化膜的应力最小值为-1.78 MPa.研究了具有不同应力钝化膜的器件的I-V特性,发现厚度为700 nm时InSb芯片具有更加优异的I-V特性.通过调整复合钝化膜的厚度,降低了钝化膜的应力,有效地提升了 InSb探测器的性能.

关键词：复合钝化膜、应力、InSb红外探测器、伏安特性

所属期刊栏目：43

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-02-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-29