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10.3969/j.issn.1672-8785.2022.04.001

长波p-on-n碲镉汞红外焦平面器件研究进展

引用
与n-on-p材料相比,p-on-n材料具有更低的暗电流和更高的工作温度,更适于长波以及高温工作碲镉汞红外焦平面器件.介绍了法国Sofradir公司、美国Raytheon Vision Systems公司以及国内的华北光电技术研究所和昆明物理研究所在长波p-on-n器件上的研究进展.

碲镉汞、长波、p-on-n

43

TN305(半导体技术)

2022-06-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

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1672-8785

31-1304/TN

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2022,43(4)

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