Ⅱ类超晶格探测器芯片背增技术研究

摘要：

主要介绍了Ⅱ类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺.该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波段(3～5μm及7～9μm)对红外光的反射率,增强芯片的光响应率,从而提高芯片性能.研究并解决了背增膜在设计与制备工艺中的主要技术问题.根据探测器的使用环境对薄膜进行了相应的牢固性实验及测试.结果 表明,此薄膜的光谱响应率和牢固度能充分满足探测器的要求.目前这项背增透薄膜制备工艺已是Ⅱ类超晶格探测器生产中不可缺少的工艺步骤,应用前景良好.

关键词：双色红外探测器;Ⅱ类超晶格;锑化镓;背增膜

所属期刊栏目：42

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2022-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：15-20