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10.3969/j.issn.1672-8785.2021.12.002

碲镉汞红外探测器性能调控技术研究

引用
对影响Hg1-xCdTe红外探测器性能的不同调控技术——包括材料调控(组分及温度、掺杂浓度、压强及应力等对材料性能的调控)、器件结构调控(n-on-p、p-on-n、p-i-n、n-B-n等器件结构的调控)和工艺调控(各种工艺调控对材料制备和器件制备等的影响)等——进行了简单介绍,以合理调控器件性能、有效降低器件暗电流、提高器件工作温度等,从而促进Hg1-xCdTe红外探测器在降低成本、减小功耗、提高可靠性等方面的发展.

红外探测器;Hg1-xCdxTe;调控技术

42

TN215(光电子技术、激光技术)

2022-01-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共9页

6-14

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红外

1672-8785

31-1304/TN

42

2021,42(12)

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