分子束外延HgCdTe/CdZnTe(211)B表面缺陷研究

摘要：

HgCdTe材料的表面缺陷是造成探测器性能下降的主要原因之一.采用聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)、扫描电子显微镜(Scanning Electron Micro-scope,SEM)和能量色散X射线光谱仪(Energy Dispersive X-ray Spectrometer,EDX)研究了碲锌镉(CdZnTe)基HgCdTe外延层的表面缺陷.通过分析不同类型缺陷形成的原因,确定缺陷起源于HgCdTe材料生长过程.缺陷的形状与生长条件关系密切.凹坑及火山口状缺陷与Hg缺乏/稍高生长温度、分子束源坩埚中材料形状变化造成的不稳定束流有关.金刚石状缺陷和火山口状/金刚石状复合缺陷的产生与Hg/Te高束流比、低生长温度相关.在5 cm×5 cm大小的CdZnTe (211)B衬底表面上生长出了组分为0.216、厚度约为6.06～7 μm的高质量HgCdTe外延层.同时还建立了缺陷类型与HgCdTe薄膜生长工艺的关系.该研究对于制备高质量HgCdTe/CdZnTe外延层具有参考意义.

关键词：分子束外延;HgCdTe;CdZnTe;缺陷

所属期刊栏目：42

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2021-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：9-15