碲镉汞薄膜表面钝化的研究进展

摘要：

赝二元体系碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,HgxCd1-xTe)材料具有优异的光电特性,是制备高灵敏度红外探测器的最重要材料之一.为了获得性能优异的HgxCd1-xTe探测器及其组件,目前已经发展了各种HgxCd1-xTe材料制备技术和器件制作工艺.但在各种材料制备及器件应用过程中,HgxCd1-xTe表面均会受到环境和不良表面效应的影响,所以需要采用先进的钝化工艺对其表面电荷态进行处理,改善材料表面的电学物理特性,从而实现器件探测性能的提升.因此,HgxCd1-xTe薄膜表面钝化工艺对HgxCd1-xTe红外探测器的性能提升至关重要.总结和分析了近年来碲镉汞薄膜表面钝化层的生长方法.按照本源钝化和非本源钝化进行了分类总结和综述,分析了不同钝化方法的优缺点,并对未来碲镉汞薄膜钝化工艺进行了展望.

关键词：碲镉汞;红外探测器;表面钝化

所属期刊栏目：42

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：中国科学院红外成像材料与器件重点实验室开放基金项目;上海市自然科学基金面上项目

在线出版日期：2021-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共14页

页码：1-13,25