10.3969/j.issn.1672-8785.2021.05.001
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器研究
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料是第三代红外焦平面探测器的优选材料.报道了一种面阵规模为320×256、像元中心距为30μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面器件.在77 K时,该器件的平均峰值探测率为7.6×1010 cm·Hz1/2·W-1,盲元率为1.46%,响应非均匀性为7.55%,噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)为25.5 mK.经计算可知,这种器件的峰值量子效率为26.2%,50%截止波长为9.1 μm.最后对该器件进行了成像演示.结果 表明,该研究为后续的相关器件研制奠定了基础.
InAs、GaSb Ⅱ类超晶格、长波红外、焦平面阵列
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TN215(光电子技术、激光技术)
2021-06-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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