大面阵碲镉汞芯片的热应力分析与优化

摘要：

随着红外焦平面探测器面阵规模的不断扩大,大面阵碲镉汞芯片的热应力进一步恶化,受温度冲击后更容易产生损伤,进而直接影响探测器的使用,甚至导致探测器失效.这已成为大面阵探测器生产工艺亟需解决的问题.借助仿真手段研究了大面阵碲镉汞芯片的低温损伤原因,并结合小面阵探测器进行了对比分析.结果 表明,铟柱与碲镉汞接触边缘部位因应力集中明显而成为损伤的起源点.不同材料的选择以及结构尺寸的设计有助于降低大面阵碲镉汞芯片的热应力和提高其工作可靠性.

关键词：红外探测器、大面阵探测器、热应力

所属期刊栏目：42

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2021-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：25-29