碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展

摘要：

碲镉汞材料是制造红外探测器的基础,高性能红外探测器对碲镉汞材料的要求越来越高.为了提升器件性能,必须提高碲镉汞材料的电学性能.而掺杂是一个很好的选择.碲镉汞材料掺杂可以分为n型和p型两种.对于n型掺杂来说,In是一种理想的掺杂剂,其掺杂研究目前已比较成熟.相对而言,p型掺杂研究还不是那么深入.Hg空位、Au、As掺杂均为碲镉汞材料中常见的p型掺杂手段.通过分析和总结近些年的部分相关文献,介绍了碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展.

关键词：碲镉汞、Hg空位掺杂、Au掺杂、As掺杂

所属期刊栏目：42

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2021-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：15-20,28