短/中波双色碲镉汞红外探测器制备研究

摘要：

报道了基于分子束外延的短/中波双色碲镉汞材料及器件的最新研究进展.采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料,并通过提高材料质量将其表面缺陷密度控制在300 cm-2以内.在此基础上进一步优化了芯片制备工艺,尤其是在减小像元中心距方面作了优化.基于上述多项材料及器件工艺制备出了320×256短/中波双色碲镉汞红外探测器组件.结果表明,该组件的测试性能及成像效果良好.

关键词：碲镉汞、短/中波双色、红外探测器、分子束外延

所属期刊栏目：42

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2021-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-7