富汞热处理对碲镉汞电学性能的影响

摘要：

对用液相外延(Liquid Phase Epitaxy,LPE)方法生长的碲镉汞(HgCdTe)材料进行了闭管富汞热处理,并研究了不同的热处理时间和热处理温度对其电学性能的影响.通过对HgCdTe材料进行富汞热处理可以有效降低材料内的缺陷尺寸、密度以及位错密度,并可完成材料由p型到n型的转变.工艺中,低温热处理对HgCdTe材料的电学性能有较大影响.研究发现,随着低温热处理时间的持续增加,HgCdTe材料的载流子浓度会明显增加.而当低温热处理温度在210 °C?250 °C范围内变化时,保持低温热处理时间不变,热处理后HgCdTe材料的载流子浓度会在一定范围内波动(无明显变化).通过对HgCdTe器件进行I-V曲线测试以及最终的组件测试发现,热处理后载流子浓度在1×1013?1×1014 cm-3范围内的HgCdTe芯片具有很好的测试结果.

关键词：碲镉汞、闭管、热处理、电学性能

所属期刊栏目：42

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2021-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6-10