p-i-n InP/InGaAs光电探测器的电流及电容特性研究

摘要：

为了实现高灵敏度探测,红外探测器需要得到优化.利用Silvaco器件仿真工具研究了p-i-n型InP/Ino.53Gao.47As/Ino.53Gao.47As光电探测器的结构,并模拟了该结构中吸收层浓度和台阶宽度对暗电流以及结电容的影响.结果表明,随着吸收层掺杂浓度的逐渐增大,器件的暗电流逐渐减小,结电容逐渐增大.当台阶宽度变窄时,器件的暗电流随之减小,结电容也随之变小.最后研究了光强和频率对器件结电容的影响.在低光强下,器件的结电容基本不变;当光强增大到1 W/cm2时,器件的结电容迅速增大.器件的结电容随频率的升高而减小,其峰值由缺陷能级引起.

关键词：近红外光电探测器、InP/InGaAs、暗电流、结电容

所属期刊栏目：42

分类号：TN362(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目61774108

在线出版日期：2021-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-5,32