10.3969/j.issn.1672-8785.2020.11.004
4in硅基碲化镉的厚度均匀性研究
采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)方法在4 in硅衬底上进行了硅基碲化镉复合衬底生长工艺研究.使用光学轮廓仪、原子力显微镜、傅里叶红外光谱仪等设备对碲化镉薄膜进行了测试.结果 表明,碲化镉薄膜的厚度均匀性、表面粗糙度、翘曲度和半峰宽等都达到了预期标准,能为外延碲镉汞薄膜提供良好的衬底.
碲化镉、硅基、分子束外延
41
TN214(光电子技术、激光技术)
2020-12-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
22-26,32