锑化铟晶片的电学均匀性研究

摘要：

锑化铟焦平面探测器是红外成像系统的重要组成部分,对红外成像的成本和性能都有重要影响.锑化铟晶片的质量及均匀性决定了探测器的性能.通过霍尔效应测试、低温探针法以及微波光电导衰退法研究了锑化铟晶片的电学性能均匀性.结果 表明,所制备的锑化铟晶片的载流子浓度和电子迁移率的面分布较均匀,但低温电阻率以及少子寿命的分布呈现较小的非均匀性变化,这主要与锑化铟生长过程中的杂质分凝有关.

关键词：锑化铟、电学性能、均匀性

所属期刊栏目：41

分类号：TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2020-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：17-21