InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器背面减薄技术研究

摘要：

在长波红外波段,InAs/GaSbⅡ类超晶格材料具有比碲镉汞材料更优越的性能,因此得到了广泛研究.对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器芯片的背面减薄技术开展了一系列试验.针对<100>GaSb单晶片进行了单点金刚石机床精密加工、机械化学抛光和化学抛光方法研究,并去除了加工损伤.InAs/GaSbⅡ类超晶格红外器件的流片结果表明,长波探测器组件获得了较好的红外成像图片,提高了InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器芯片的研制水平.

关键词：InAs/GaSb、单点金刚石机床切削、表面形貌、机械化学抛光、长波红外探测器

所属期刊栏目：41

分类号：TN362(半导体技术)

在线出版日期：2020-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：15-20