GaAs/AIGaAs量子阱红外探测器的低电阻欧姆接触工艺研究

摘要：

介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况.结合热处理工艺,通过测试I-V特性对Ni/AuGe/Au金属体系的不同搭配进行了实验,确定了适合n+ GaAs/Al-GaAs的电极体系,并对沉积金属后的热处理条件进行了初步研究.在400℃、氮气氛围、60 s的条件下,采用传输线模型计算后,在n+ GaAs(1×1018 cm-3)上取得了比接触电阻为3.07×10-5 Ω·cm2的实验结果.

关键词：GaAs/AlGaAs、量子阱红外探测器、热处理、欧姆接触

所属期刊栏目：41

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2020-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：13-18