10.3969/j.issn.1672-8785.2020.04.002
InSb晶体生长固液界面控制技术研究
在固液界面控制方面,对Si等成熟半导体的研究较多,而对锑化铟(InSb)材料的研究极少.对InSb晶体等径段生长过程中晶体拉速、转速和坩埚转速对固液界面形状的影响进行了模拟分析以及实际的晶体生长实验.结果 表明,这三个生长参数对固液界面形状的平稳控制具有一定的效果.获得了平稳固液界面控制方法,为后续生长更低位错密度、更均匀径向电学参数分布的InSb材料打下了基础.
InSb、晶体拉速、晶体转速、坩埚转速、固液界面形状、模拟
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TN213(光电子技术、激光技术)
2020-08-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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